ヘッドスプリング株式会社(本社：東京都品川区、代表取締役社長：星野 脩、以下「ヘッドスプリング」)は、パワー半導体の評価・技術開発拠点「HS PowerDevice Lab HIBIKINO」(福岡県北九州市若松区)において、2025年12月の開設以来、当初計画に基づき順次進めてきた4種類の評価設備の導入をこのたび完了し、本格稼働を開始しました。
本ラボは、評価装置・評価技術・パワー半導体技術・パワーエレクトロニクス技術の発展を目的に運営しています。
自社開発の評価装置を用いた測定・解析と、装置・評価手法の開発に取り組みます。設備と技術を活用した受託評価は、すでに複数のお客様にご利用いただいています。また、評価装置の導入に向けたトライアル評価も提供します。
ラボ内観
■SiC・GaNの活用拡大に対応する評価・技術開発拠点
EVや蓄電システム、データセンターなどの電力変換用途では、高効率化や小型化に向けてSiC・GaNなどのパワー半導体の活用が進んでいます。こうしたデバイスの性能と信頼性を確かめるには、一定の電圧や温度を加える静的評価に加え、スイッチング動作や温度変化など、実際の使用条件を踏まえた評価が重要です。
本ラボでは、次の4種類の評価装置を導入しました。
・高温ダイナミック逆バイアステストシステム
(D-HTRB、型番：HAT-DHTRB01A)
・高温ダイナミックゲートバイアステストシステム
(D-HTGB、型番：HAT-DHTGB01A)
・高温高湿ダイナミック逆バイアステストシステム
(D-H3TRB、型番：HAT-DH3TRB01A)
・パワーサイクルテストシステム
(過渡熱抵抗Rth測定機能付き)(PC、型番：HAT-PC01A)
動的なストレスや繰り返し通電に伴う変化を評価するとともに、試験条件や装置の運用方法を変更することで静的な信頼性評価にも対応します。得られた知見を評価手法と装置の改善、デバイスの理解、回路設計に生かします。
本ラボは、評価装置・評価技術・パワー半導体技術・パワーエレクトロニクス技術の発展を目的に運営しています。
自社開発の評価装置を用いた測定・解析と、装置・評価手法の開発に取り組みます。設備と技術を活用した受託評価は、すでに複数のお客様にご利用いただいています。また、評価装置の導入に向けたトライアル評価も提供します。
ラボ内観
■SiC・GaNの活用拡大に対応する評価・技術開発拠点
EVや蓄電システム、データセンターなどの電力変換用途では、高効率化や小型化に向けてSiC・GaNなどのパワー半導体の活用が進んでいます。こうしたデバイスの性能と信頼性を確かめるには、一定の電圧や温度を加える静的評価に加え、スイッチング動作や温度変化など、実際の使用条件を踏まえた評価が重要です。
本ラボでは、次の4種類の評価装置を導入しました。
・高温ダイナミック逆バイアステストシステム
(D-HTRB、型番：HAT-DHTRB01A)
・高温ダイナミックゲートバイアステストシステム
(D-HTGB、型番：HAT-DHTGB01A)
・高温高湿ダイナミック逆バイアステストシステム
(D-H3TRB、型番：HAT-DH3TRB01A)
・パワーサイクルテストシステム
(過渡熱抵抗Rth測定機能付き)(PC、型番：HAT-PC01A)
動的なストレスや繰り返し通電に伴う変化を評価するとともに、試験条件や装置の運用方法を変更することで静的な信頼性評価にも対応します。得られた知見を評価手法と装置の改善、デバイスの理解、回路設計に生かします。